时间：2025/4/30 10:23:20
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BSO613SPV G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装形式。该器件适用于多种高效能开关应用场合，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。其低导通电阻特性使得在高电流条件下可以实现较低的功耗和更高效的性能。
BSO613SPV G 的设计重点在于提升效率与可靠性，同时具有较高的浪涌能力及良好的热稳定性，使其能够胜任较为苛刻的工作环境。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：9mΩ
栅极电荷（典型值）：2.7nC
开关时间：ton=12ns, toff=18ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
BSO613SPV G 提供了低导通电阻的设计，确保了在大电流应用场景下更低的能量损耗。此外，它的快速开关速度减少了开关过程中的能量损失，从而提高了整体系统效率。
该器件还具备出色的热稳定性，能够承受较高的结温和温度波动，这为高温环境下运行提供了保障。
另外，BSO613SPV G 的封装采用了行业标准的 TO-252 (DPAK)，便于安装与维护，并且兼容大多数现有的 PCB 设计流程。
综合来看，这款功率 MOSFET 具备高性能、高可靠性和易于使用的特点，非常适合需要高效功率管理的应用场景。
BSO613SPV G 广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。常见的具体应用包括：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流
- 各类 DC-DC 转换器
- 电池供电设备中的负载开关
- 小型电机驱动电路
- 保护电路中的过流保护元件
由于其高效率和可靠性，BSO613SPV G 在便携式设备、家用电器、通信设备等领域中均得到了广泛应用。
AO3400A
IRLZ44N
FDP5570
STP45NF06L
